【污染物排放】：

半导体行业废气排放具有排气量大、排放浓度小的特点。挥发性有机废气主要来源于光刻、显影、刻蚀及扩散等工序，在这些工序中要用有机溶液（如异丙醇）对晶片表面进行清洗，其挥发产生的废气是有机废气的来源之一；同时，在光刻、刻蚀等过程中使用的光阻剂（光刻胶）中含有易挥发的有机溶剂，如醋酸丁酯等，在晶片处理过程中也要挥发到大气中，是有机废气产生的又一来源。与半导体制造工艺相比，半导体封装工艺产生的有机废气较为简单，主要为晶粒粘贴、封胶后烘烤过程产生的烘烤废气

【控制要求】：

半导体制造工艺中使用的清洗剂、显影剂、光刻胶、蚀刻液等溶剂中含有大量有机物成分。在工艺过程中，这些有机溶剂大部分通过挥发成为废气排放。目前，有机废气排放处理措施采用大风量低浓度，其处理一般采用吸附浓缩技术、等离子光解技术、或UV光解技术等等。

【工作原理】

本设备是等离子分解废气净化器+UV光解除臭废气净化器两种设备的完美结合，综合采用了等离子废气净化器和紫外光触媒除臭废气净化器两种设备的优点组合而成，利用等离子分解技术和UV紫外光解技术相结合，对废气和臭气进行高效协同净化处理！

（1）废气和恶臭气体进入集成设备后，经过UV紫外光束区时，被紫外光波高能高效率地照射，瞬间产生光解反应，打开废气和臭味污染物分子的化学键，破坏其分子结构和核酸；利用高能紫外光波分解空气中的氧分子产生游离氧，即活性氧，因游离氧所携正负电子不平衡所以需与氧分子结合，进而产生臭氧，使呈游离状态的污染物分子与臭氧氧化结合成小分子无害或低害的化合物。如CO2、H2O 等。 UV+O2→O-+O*(活性氧)O+O2→O3(臭氧)。

（2）废气和恶臭气体经过等离子体电场区，在纳秒级时间范围内，等离子猛烈轰击废气和臭味等污染物分子，产生裂变分解反应，产生高浓度、高强度、高能量的各种活性自由基、高能电子、高能离子等，同时产生大量臭氧、原子氧、生态氧等混合气体，进行一系列复杂的分化裂解和氧化还原反应。

（3）UV紫外光解与等离子分解如此高效协同地产生一系列光解和分解反应，经过复合式多级净化后从而达标排放！既能安全高效地净化治理各种有害废气，又能高效干净地去除各种恶臭味道。