硅薄膜作为薄膜太阳能电池的核心材料越来越引起人们的重视, 非晶硅薄膜太阳能电池由于存在转换效率低和由 S-W 效应引起的效率衰退等问题, 而微晶硅薄膜具有较高电导率、较高载流子迁移的电学性质及优良的光学稳定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成为光伏领域的研究热点.
采用磁控溅射沉积硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒气体及相应的尾气处理装置, 有利于降低设备成本, 且工艺参数容易控制, 因此经过伯东工程师推荐, 长沙某大学实验室课题租在研究微晶硅薄膜时, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅沉积制备微晶硅薄膜.
KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
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射频离子源型号
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RFICP380
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Discharge 阳极
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射频 RFICP
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离子束流
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>1500 mA
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离子动能
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100-1200 V
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栅极直径
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30 cm Φ
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离子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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15-50 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型压力
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< 0.5m Torr
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长度
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39 cm
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直径
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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试验结果:
在实验中, 通过伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅沉积的方法, 可以在玻璃衬底上制备出结晶良好的微晶硅薄膜.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
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上海伯东: 罗先生
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