中国LED市场正从百亿量级向千亿量级跨越

　　制造LED 芯片所用的衬底材料通常是高质量的蓝宝石或碳化硅、GaAs（砷化镓），是外延生长出各种复合半导体的晶种。当前，在GaAs 衬底上生长AlInGaP 是一项相对成熟的技术，预计未来GaAs衬底仍会是衬底材料可靠的选择。而蓝宝石衬底由于在大尺寸衬底上良好的性能，随着厂商不断努力向大尺寸衬底工艺发展，将逐步占据更大比重。

　　外延片生长是LED 制造的关键技术，目前普遍采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法实现。目前全球MOCVD的主要制造厂家为德国的AIXTRON公司和美国的VEECO公司，前者约占60%-70%的国际市场份额，后者占据30%-40%,日本Nippon Sanso生产的设备基本限于日本国内销售。

　　外延生长完成后，中游芯片设计和加工厂商根据LED性能需求进行器件结构和工艺设计，通过外延片扩散、金属镀膜，再进行光刻、热处理，形成金属电极；再将基板磨薄抛光后，切割为细小的LED芯片。

　　芯片封装即将芯片粘贴并焊接导线架，经由测试、封胶后，封装成各种不同的产品。白光LED 芯片还需要在密封胶内注入磷才能产生白光。原则上芯片越小、封装的技术难度越高。

　　封装后产品经过测试、分选，装配进分系统供照明器材使用。照明器材（如信号灯、屏幕、商用或民用照明设备）除LED芯片外，还包括其他光学器件、LED 驱动电路等。产品经过经销商销售，照明设计工程师、建筑师设计后，最终提供给终端用户使用。

　　LED 产业在全球已形成一套完整的产业链，中国台湾、日本、韩国的企业数量众多，主要集中在衬底、外延、芯片及封装领域。具备实力从事LED产业链上全业务的公司较少，主要是美国、日本及韩国的龙头企业。

　　在国内LED产业链中，中上游的外延片和芯片环节发展是相对滞后的“软肋”。LED外延片和芯片对技术要求较高，国内在这两方面同国际先进水平还有一定差距。目前国内外延片和芯片的产量有限，从事LED外延片生产的企业仅10家左右，LED芯片生产的厂商也不多。国产LED外延材料、芯片以中低档为主，80%以上功率型LED芯片、器件依赖进口，外延片产量仅能满足封装企业需求量的20%。

　　我国LED企业超过3000家，其中70%集中于下游产业，LED封装产品已达世界第一，技术水平和产品质量参差不齐。造成中国LED产业“中上游萎缩，下游膨胀”的主要原因是，目前LED的主流技术专利多为发达国家所控制，国内缺乏自主知识产权和核心技术，企业发展面临的专利风险日益加大，生产设备落后且科研成果产业化不顺畅。

　　LED产业发展的三大瓶颈

　　目前已投资数家LED企业的浙江华睿投资管理有限公司董事长宗佩民认为，中国LED产业还有几个障碍需要克服：

　　首先，要提高LED发光效率。LED灯具想要真正进入一般消费者家庭，需要将暖白光色系的LED发光效率提升到100lm/W（流明/瓦）以上，灯具成本可以下降25%,电费成本也将比传统灯泡更具成本优势。

　　其次，要解决散热问题。大功率LED对散热技术要求较高，环境温度达到一定高度时LED很快会产生光衰，导致LED寿命下降。只有解决大功率LED的散热问题，才能大面积推广大功率LED的应用。

　　此外，要降低LED价格。价格是直接影响LED照明普及速度的关键因素，虽然LED灯具的总成本（包括购置成本+能源成本+维护成本+废弃物处理成本）比白炽灯和荧光灯低，但消费者仍以购置成本为选择标准，并不太在意高品质或多功能特性。