新能源的发展加速 功率市场大有潜力

    此外，在安全领域，我们预计电子ID证件的增长将继续，比如电子护照，带芯片的身份证件等。

    我们也认为，越来越多的证件，如驾照以及社会保障卡等，都将内置安全芯片。

    对中国系统制造商而言，2011年将面临的最大技术挑战是如何保证高复杂系统的可靠性和实现更高的能效。特别在汽车领域，安全和质量是严酷的考验，尤其是在新的应用领域，如何能在严酷的条件下保证在十年、十五年以上的可靠工作。比如汽车本身所带来的大范围温度变化(从零下四十度到零上一百五十度)，由路面颠簸所带来的强烈机械震动，复杂混乱的电子干扰等等。在汽车动力引擎方面，由于汽车系统复杂度越来越高，对于功率驱动和主控芯片都提出更高要求。我们会坚持质量第一的信念，把最可靠的器件和系统带到中国。

    工业领域的产品应用也十分广泛，从10伏以上到1000千伏以上，1安培以上到100安培以上，简单控制到复杂控制，如4瓦LED灯泡到6500千伏牵引系统。要为这么广泛的应用提供高能源效率解决方案，需要一个广泛的产品组合，以为各项应用提供性价比最佳的产品，同时必须掌握包括MCU、MOSFET、IGBT和模块等多种技术。

    目前在汽车、工业和芯片卡市场，英飞凌是排名第一的龙头企业。我们完善的产品线可以为能源效率、移动性和安全性市场的快速发展提供极大的推动作用。

    为了应对上述汽车电子系统的挑战，英飞凌开发了汽车级的IGBT模块。这些汽车专用的IGBT模块充分考虑了以上的技术挑战，在设计和生产时作出了充足的保护安排，在认证和测试时也进行了全面的考虑，比如，抗震动能力，我们对汽车级模块会以五倍重力加速度三十小时来做考验，而工业级器件一般仅做两倍重力加速度两小时的测试；还有温度冲击测试，即在零下四十度到零上一百五十度之间做快速的循环变化，汽车级我们会做一千次，而工业级仅做五十次，这个指标反映器件未来的寿命。除器件之外，为更好地帮助大家的开发，我们在国内也推出相关的参考设计，相信这些参考设计能帮助大家缩短开发周期。

    在功率电子领域，主要的驱动力是提高能效和功率密度，比如降低导通电阻和开关损耗。在高压市场版块，我们在碳化硅技术方面的发展十分先进，已经进行了多年的量产。英飞凌的JFET和MOSFET也处于产品开发阶段，第一种类型将在接下来两三年入市。而在低压领域，我们正在开发GaN类型的产品，以降低开关成本。

    封装技术也是我们实现差异化的一个重要方面。依靠.XT这种新的IGBT模块连接技术，我们进行了一系列创新。比如芯片前端和后端的压焊连接加强，及在流程中利用扩散锡焊的方法等。.XT技术将IGBT模块的使用寿命提高10%，这对于如商用车以及风能发电站等强大应用来说尤其重要。