国内门槛急升
由于光伏市场需求旺盛,国内多晶硅产业近年愈加火爆。但是行业问题也接踵而至,核心生产技术受到扼喉,加上盲目入市导致相关经验欠缺、资金不足,使得国内多晶硅行业竞争缺乏秩序,产能滞后。
2011年伊始,国家有关部门及时出台《多晶硅行业准入条件》(以下简称《准入条件》)意在改变目前国内多晶硅市场门槛较低,竞争无序的现状。
《准入条件》对多晶硅行业的项目建设条件和生产布局提出了明确要求。要求规定,新建和改扩建多晶硅项目投资中最低资本金比例不得低于30%。此外,国家将严格控制在能源短缺、电价较高的地区新建多晶硅项目,对缺乏综合配套、安全卫生和环保不达标的多晶硅项目不予核准或备案。
此外,《准入条件》还对多晶硅行业的生产规模与技术设备提出了新要求:太阳能级多晶硅项目每期规模大于3000吨/年,半导体级多晶硅项目规模大于1000吨/年。多晶硅企业应积极采用符合本准入条件要求的先进工艺技术和产污强度小、节能环保的工艺设备以及安全设施,主要工段、设备参数应能实现连续流程在线检测。据了解,《准入条件》对产品质量、环境保护等都作出了相应规定。
分析人士认为,如果《准入条件》中的相关标准可以得到严格的执行,那么国内多晶硅行业必然面临一次洗牌,很多实力相对较弱的生产企业将会被挤出这个市场。短期来看,随着这些中小企业撤离多晶硅“战场”,国内多晶硅产能的增速有可能会受到影响,价格也会因此上涨。但是长期来看,《准入条件》符合国家产业结构调整的总方针,对于行业整合和保障市场良性发展有着至关重要的作用。
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