n型晶体硅／p型非晶硅异质结太阳电池的研制

　　图3为硅片少子寿命随沉积不同i-a-Si：H厚度的变化曲线，可以看出没有沉积本征非晶硅层的硅衬底少子寿命最优值为16．44”s，当沉积一定厚度的本征非晶硅后，硅片的少子寿命均有提高，说明了非晶硅薄膜作为缓冲层减小了异质结界面态密度，对硅片表面有很强的钝化效果。其中随着厚度的增加，当沉积时间为40s，厚度约为3nlTl的本征非晶硅，少子寿命最高达到24．61“s，并且得到的本征非晶硅薄膜结构比较稳定，能够在电池中应用。

　　（4）本征非晶硅对HIT太阳电池性能的影响

图4 HIT太阳电池V沉积i-a-Si：H层厚度的变化曲线

　　在沉积不同本征非晶硅层厚度的基础上，制备完整的HIT太阳电池样品，测试得到电池的开路电压（U）与沉积i-a-Si：H层厚度的变化曲线如图4所示。从图中可以看出，当沉积时间为40s，制备得到的HIT太阳电池的K最高，结合前面关于本征i层对硅片表面的钝化作用，此时的少子寿命也是最高的，说明表面钝化能有效提高电池的开压。

　　保持HIT太阳电池其他工艺条件不变，仅改变本征非晶硅层的插入，制备一组电池样品，测试电池的QE响应和IV特性，如图5所示。

　　从QE曲线中可以看出本征层的插入增加了对短波段光的吸收，使得短波段光谱响应相比不加入本征层的减弱了，短路电流密度J。略有降低，但是它通过在界面处降低了异质结的表面复合速率来提高电池的填充因子FF和开路电压K，因此异质结界面处插入一定厚度的i-a-Si：H能有效提高HIT太阳电池的光电转换效率。