德国欧司朗光电半导体（OSRAM Opto Semiconductors GmbH）开发出了新型LED结构「UX:3」。该结构不仅能够大幅提高蓝光LED等GaN类LED的外部量子效率，而且还可大幅抑制LED在通过大电流时发光效率下降的公认课题。通过减少不伴随发光的非放射再结合——「俄歇复合」，可抑制发光效率的下降。
欧司朗介绍，UX:3在LED芯片内部嵌入n型接触电极，通过贯通孔与n型GaN类半导体层进行电连接。可降低电流密度的效果，从而减少了俄歇复合。并还加厚了作为发光部分的活性层，降低了载流子密度。
采用UX:3的蓝光LED芯片，其光输出功率在芯片为1mm见方的情况下投入350mA电流时比ThinGaN大约高10％。投入电流越多，UX:3和ThinGaN的差距就越大。使用这种蓝光LED芯片的白光LED，其发光效率可达到136lm/W。
UX:3将作为ThinGaN的进化版，从投入大电流的高端蓝光LED、白光LED及绿光LED开始采用。首先将推出手机摄像头闪光灯使用的产品，并于2010年内发佈面向普通照明用途的产品。
目前打算在1mm见方的大尺寸芯片上采用UX:3，不过在技术成熟后，还有可能在标准尺寸的芯片上使用UX:3。
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