9月22日,由扬州大学物理学院承担的省科技攻关项目大功率高亮度LED芯片取得进展,首批试制样品已上线接受1000小时的性能测试。这款由我国自主研发的新光源芯片,将用于替代国外同类产品。
据了解,LED是目前世界各国加紧开发的节能光源产品,用于替代传统的电力光源,芯片则是LED的“大脑”。但目前国产LED芯片在寿命、亮度、性价比等方面均弱于进口芯片,从而造成最终产品成本高,难以在一般消费者中普及,且高端产品的芯片需依赖进口。
作为光电强省,我省去年开始展开高性能芯片的研究。扬大物理学院光电研究中心由10名科研人员组成研究团队,与扬州华夏光电合作,对国产芯片的结构进行重新设计,着力解决发热量大、衰减快等稳定性问题,以提高其使用寿命。课题负责人曾祥华教授表示,目前首批新型芯片样品已经试制成功,并已经获得三项国家专利,经过1000小时连续带电测试后,研究人员还将对细节进行改进,新芯片的稳定使用寿命约能提高到5万小时以上。据悉,新芯片因由我国自主研发,这将大大缩减LED制造成本,最终可用于替代进口芯片。
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